ルネサス、200MHzの高速ランダムアクセスを実現するフラッシュメモリ技術を開発

業界 レスポンス

ルネサス エレクトロニクスは2月25日、車載用28nmフラッシュメモリ内蔵マイコンの高速読み出し・書換えを実現するフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。

新技術では、メモリセルを現在の40nmから業界最先端の28nmへ微細化するとともに回路技術を改良。業界最速となる200MHzのランダムアクセスと高信頼性を両立させた。

また、書込み動作時にメモリセルのウエル電位を負電圧とすることによる書込みパルス印加時間短縮と、複数のフラッシュモジュールの並列書込みによる高速書込み技術を新たに開発。これにより、混載フラッシュとしては最速の書込みスループットとなる2.0MB/sを達成した。

ルネサスでは、今回開発したフラッシュメモリ回路技術を用いることで、より高性能・高信頼性を備えた車載用大容量混載フラッシュメモリの実現に貢献できるとしている。

  • 纐纈敏也@DAYS
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