豊田合成、窒化ガリウムによる低損失MOSFETを開発を開発

業界 レスポンス

豊田合成は5月14日、青色LEDの主要材料で、高電圧にも耐えられる特性を持つ窒化ガリウム(GaN)を用いて、低損失パワー半導体デバイス技術を開発したと発表した。

同技術は、ハイブリッド車の電力制御装置や、太陽光発電の電力変換装置などに適用することで、機器の小型化・高効率化に貢献する。

豊田合成は、1986年から行っている青色LEDの開発・生産で培った結晶成長技術を活用して、2010年から窒化ガリウムを用いたパワー半導体向けデバイス技術の研究開発に着手。今回、1200Vの高電圧をかけても電流を流さずに、ノーマリオフと呼ばれるスイッチ(ゲート)に信号を与えた場合にのみ電流を流す機能を有する低損失MOSFETを開発した。

MOSFETとは、パワーデバイス等に用いられるトランジスタの一種。同社は電流を流す方向が基板に対して垂直となる縦型構造の採用や、ゲートをトレンチ構造にするなど工夫。これにより、実験室レベルながら、電流を流した場合の抵抗が1.8mΩ平方センチとなる世界最高水準の低損失特性を達成した。

  • 纐纈敏也@DAYS
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